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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0304759 (1989-01-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 63 인용 특허 : 5 |
A radiation hardened CMOS transistor has a source region, drain region and channel region formed on an SOI or SOS wafer. End plugs of opposite conductivity to that of the source and drain regions are connected to the channel region. In one embodiment, the end plugs extend along opposite ends of the
A radiation hardened MOS SOI or SOS transistor comprising: a silicon-on-insulator or a silicon-on-sapphire wafer; a source region formed on said wafer; a drain region formed on said wafer; a channel region formed on said wafer between and contiguous with said source region and said drain region; sai
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