[특허]Photo-CVD system

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-016/00 C23C-016/48
출원번호	US-0822361 (1992-01-17)
발명자 / 주소	Rhieu Ji H. (Mesa AZ)
출원인 / 주소	Amtech Systems, Inc. (Tempe AZ 02)
인용정보	피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 0

초록 ▼

A photo-assisted chemical vapor deposition system includes a reaction chamber, a susceptor in the reaction chamber supporting a wafer, a source for introducing reactant gas into the reaction chamber through an inlet port, and a cover positioned in sealed relationship to the housing and partially bounding the reaction chamber, the cover including a plurality of elongated light pipe openings each having a length comparable to the thickness of a boundary layer of the reactant gas and a diameter-to-length ratio small enough to maintain one-dimensional purge gas flow through the light pipe openings. A plurality of transparent windows are disposed in sealed relationship with the cover and bound an outer end of each of the light pipe openings. Ultraviolet light is introduced through the light pipe openings, which also provide a thick gas layer through which reactant species of the reactant gas must diffuse to reach the window surface. Inert purging gas having a velocity large enough to reduce the concentration of the reactant gas is introduced into the light pipe openings and flows out of the open ends thereof, impeding diffusion of reactant gas molecules toward the windows. Clouding of the windows is thereby effectively avoided.

대표청구항 ▼

A photo-assisted chemical vapor deposition system, comprising in combination: (a) a reaction chamber having a housing; (b) a susceptor in the reaction chamber supporting a substrate, such as a semiconductor wafer; (c) means for introducing reactant gas into the reaction chamber through an inlet port in the housing; (d) a cover positioned in sealed relationship to the housing and partially bounding the reaction chamber, the cover including a plurality of elongated light pipe openings each having a length to diameter ratio large enough to maintain one-dimensional purge gas flow through the light pipe openings; (e) a plurality of transparent window areas each disposed adjacent to an outer end of each of the light pipe openings, respectively; and (f) means for introducing ultraviolet light through the various window areas into the reaction chamber, whereby reactant molecules in the reaction gas fail to reach the window areas and be deposited thereon.

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