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NTIS 바로가기등록일자 | 2011-08-30 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/759746 |
문서암호 : www.kosen21.org
1. 분석자 서문
최근 전통적인 complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) 스케일링 기술의 한계로 인하여 혁신적인 트랜지스터 구조나 최신의 신물질 적용이 기존 CMOS field-effect transistors (FETs)의 성능 향상을 위한 핵심 연구가 되었다. High dielectric constant (high-k) 게이트 스택은 실리콘 산화막(SiO2)을 대처할 수 있는 핵심 물질로 많은 연구가 이루어지고 있으며, 여러 성과를
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