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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0930121 (1992-08-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 273 인용 특허 : 2 |
A method of depositing good quality thermal CVD silicon oxide layers over a PECVD TEOS/oxygen silicon oxide layer comprising forming an interstitial layer by ramping down the power in the last few seconds of the PECVD deposition.
A process for depositing a plasma enhanced CVD (PECVD) silicon oxide layer on a substrate in a reactor comprising: a) depositing a PECVD silicon oxide layer from a plasma of tenaethylorthosilane (TEOS) and oxygen at a power level of about 5-10 watts per square centimeter on a semiconductor substrate
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