최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0635589 (2015-03-02) |
등록번호 | US-9777378 (2017-10-03) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
Embodiments described herein relate to methods for forming flowable chemical vapor deposition (FCVD) films suitable for high aspect ratio gap fill applications. Various process flows described include ion implantation processes utilized to treat a deposited FCVD film to improve dielectric film densi
1. A method for forming a flowable chemical vapor deposition film, sequentially comprising: forming a dielectric film on a substrate by reacting a silicon containing precursor, a nitrogen containing precursor, and an oxygen containing precursor in a processing chamber at a temperature of about 100 d
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.