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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0778720 (1996-12-27) |
우선권정보 | KR-0066050 (1995-12-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 5 |
Row/column decoder circuits for a semiconductor memory device. Switching elements are used to separate a main power line from the row decoder circuit to block power from the main power line to the row decoder circuit when a word line is not driven. Therefore, the amount of standby current consumptio
[ What is claimed is:] [1.] A row decoder circuit for a semiconductor memory device which has a plurality of memory cells each including one MOS transistor and one capacitor, comprising:main row decoding means for decoding a row address to select a word line corresponding to the row address;at least
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