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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0833766 (1997-04-09) |
우선권정보 | GB-0011911 (1994-06-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 63 인용 특허 : 12 |
Chemical vapor deposition reactions are carried out by introducing first and second precursors for the material to be deposited into a reaction chamber (5) along a plurality of separate discrete paths (21,24) where they are cooled prior to entry into the reaction chamber. The precursors are mixed in
[ We claim:] [1.] A reactor for producing a material from first and second gaseous precursors by metal organic chemical vapour deposition which reactor comprises:(i) a reaction chamber for accommodating a heated substrate having a surface upon which said material is to be deposited by reaction of sa
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