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Self-aligned silicide process 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/28
  • H01L-021/306
출원번호 US-0670380 (1996-06-25)
발명자 / 주소
  • O'Brien Sean
  • Prinslow Douglas A.
출원인 / 주소
  • Texas Instruments Incorporated
대리인 / 주소
    Hoel
인용정보 피인용 횟수 : 26  인용 특허 : 11

초록 ▼

A self-aligned silicide method with Ti deposition, reaction, strip of TiN with selectivity to TiSi.sub.2 consisting of a water solution of H.sub.2 O.sub.2 with possible small amounts of NH.sub.4 OH, phase conversion anneal, and then strip of TiSi.sub.2 filaments with a water solution of H.sub.2 O.su

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A method of self-aligned silicidation, comprising the steps of:(a) forming a titanium layer on a body with exposed portions of silicon;(b) reacting portions of said titanium with said exposed silicon in a nitrogen containing atmosphere;(c) immersing said body in a water s

이 특허에 인용된 특허 (11)

  1. Tamura Yoshimitsu (Chiba JPX) Shinriki Hiroshi (Chiba JPX) Ohta Tomohiro (Chiba JPX), Antifuse element and semiconductor device having antifuse elements.
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  2. Zahurak John K. ; Lane Richard H., Increased interior volume for integrated memory cell.
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  3. Joshi Rajiv V. (Yorktown Heights NY) Oh Choon-Sik (Seoul KRX) Moy Dan (Behtel CT), Method for a two step selective deposition of refractory metals utilizing SiH4 reduction and H2.
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  4. Fujii Kunihiro,JPX ; Ito Hiroshi,JPX, Method for fabricating semiconductor device having titanium silicide film.
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  5. Wong Harianto,SGX ; Pey Kin Leong,SGX ; Chan Lap, Method of making self-aligned silicide narrow gate electrodes for field effect transistors having low sheet resistance.
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  6. Sumi Hirofumi (Kanagawa JPX), Method of manufacturing semiconductor device by forming barrier metal layer between substrate and wiring layer.
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  7. Okada Junji (Kanagawa JPX), Process for manufacturing a semiconductor device using NH4OH-H2O2 based etchan.
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  8. Koh Yun Bai (Sunnyvale CA) Chien Frank (Los Altos CA) Vora Madhu (Los Gatos CA), Self-aligned metal silicide process for integrated circuits having self-aligned polycrystalline silicon electrodes.
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  9. Sumi Hirofumi (Kanagawa JPX), Semiconductor device.
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  10. Kawaguchi Hiroshi,JPX, Semiconductor device with improved salicide structure and a method of manufacturing the same.
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  11. Haken Roger A. (Richardson TX) Holloway Thomas C. (Dallas TX), VLSI local interconnect structure.
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이 특허를 인용한 특허 (26)

  1. Yongjun Jeff Hu, Asymmetric, double-sided self-aligned silicide.
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  2. Hu Yongjun Jeff, Asymmetric, double-sided self-aligned silicide and method of forming the same.
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  3. Hu, Yongjun Jeff, Asymmetric, double-sided self-aligned silicide and method of forming the same.
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  4. Hu, Yongjun Jeff, Asymmetric, double-sided self-aligned silicide and method of forming the same.
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  5. Bauer, Matthias; Thomas, Shawn G., Cyclical epitaxial deposition and etch.
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  6. Pore, Viljami J.; Haukka, Suvi P.; Blomberg, Tom E.; Tois, Eva E., Doped metal germanide and methods for making the same.
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  7. Sinha, Nishant; Morgan, Paul A., High aspect ratio fill method and resulting structure.
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  8. Sinha, Nishant; Morgan, Paul A., High aspect ratio fill method and resulting structure.
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  9. Bauer, Matthias, High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process.
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  10. Abbott, Todd R., Integrated circuitry.
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  11. Pore, Viljami J.; Haukka, Suvi P.; Blomberg, Tom E.; Tois, Eva E., Metal silicide, metal germanide, methods for making the same.
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  12. Pore, Viljami J.; Haukka, Suvi P.; Blomberg, Tom E.; Tois, Eva E., Metal silicide, metal germanide, methods for making the same.
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  13. Li Li ; Hu Yongjun Jeff, Method of forming a conductive line and method of forming a local interconnect.
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  14. Abbott, Todd R., Method of forming local interconnects.
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  15. Pore, Viljami J.; Haukka, Suvi P.; Blomberg, Tom E.; Tois, Eva E., Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide.
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  16. Violette Michael P. ; Tang Sanh ; Smith Daniel M., Methods for use in formation of titanium nitride interconnects.
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  17. Granneman, Ernest H. A.; Kuznetsov, Vladimir; Pages, Xavier; van der Jeugd, Cornelius A., Methods of forming films in semiconductor devices with solid state reactants.
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  18. Woodruff, Jacob Huffman, Methods of forming metal silicides.
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  19. Woodruff, Jacob Huffman, Methods of forming metal silicides.
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  20. Granneman,Ernst H. A.; Kuznetsov,Vladimir; Pages,Xavier; van der Jeugd,Cornelius A., Methods of forming silicide films in semiconductor devices.
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  21. Pey Kin-Leong,SGX ; Siah Soh-Yun,SGX, Salicide formation on narrow poly lines by pulling back of spacer.
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  22. Bauer, Matthias; Weeks, Keith Doran, Selective epitaxial formation of semiconductive films.
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  23. Bauer, Matthias; Weeks, Keith Doran, Selective epitaxial formation of semiconductor films.
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  24. Raaijmakers, Ivo, Selective silicide process.
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  25. Gauthier, Jr., Robert J.; Mann, Randy W.; Voldman, Steven H., Semiconductor structure having heterogenous silicide regions having titanium and molybdenum.
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  26. Machkaoutsan, Vladimir; Granneman, Ernst H. A., Stable silicide films and methods for making the same.
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