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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0620182 (1996-03-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 9 |
An improvement in the properties of etch rate, mechanical stress, and chemical resistance of silicon layers obtained by plasma-enhanced chemical vapor deposition from mixtures of reactive gases such as oxygen and tetraethoxysilane is achieved by adding nitrogen gas to the reactive gas mixture. The a
[ What is claimed is:] [1.] A method of depositing a dielectric layer on a semiconductor substrate in a plasma reactor, comprising:providing a mixture of oxygen (O2) gas and tetraethoxysilane vapor;adding nitrogen gas to said mixture; andestablishing a plasma in said plasma reactor to complete the d
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