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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0053554 (1998-04-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 239 인용 특허 : 10 |
A process for filling high aspect ratio gaps on substrates uses conventional high density plasma deposition processes, with an efficient sputtering inert gas, such as Ar, replaced or reduced with an He inefficient sputtering inert gas such as He. By reducing the sputtering component, sidewall deposi
1. A process for filling gaps during integrated circuit production, comprising: providing a gas mixture comprised of silicon-containing and oxygen-containing components and consisting of one inert component, wherein said inert component is helium; and depositing a film over said gaps by using said
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