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Dual collimated deposition apparatus and method of use 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-014/34
출원번호 US-0130527 (1998-08-04)
발명자 / 주소
  • Paranjpe, Ajit
  • Schwartz, Peter
  • Kools, Jacques
  • Song, Kang
  • Heimanson, Dorian
  • Moslehi, Mehrdad
출원인 / 주소
  • Veeco-CVC, Inc.
대리인 / 주소
    Gray Cary Ware & Freidenrich
인용정보 피인용 횟수 : 10  인용 특허 : 15

초록

A dual collimation deposition apparatus and method are disclosed in which the dual collimation apparatus includes at least a long-throw collimator in combination with one or more physical collimators. A new physical collimator and shield design are also disclosed for improved process uniformity and

대표청구항

1. A physical-vapor deposition apparatus for depositing material from a target onto a substrate, the apparatus comprising: a deposition chamber; a target assembly housed within the chamber holding a target from which a sputter deposition flux is generated; a substrate holder housed within the c

이 특허에 인용된 특허 (15)

  1. Lantsman Alexander D. ; Licata Thomas J., Apparatus for ionized sputtering.
  2. Demaray R. Ernest (Oakland CA) Hoffman Vance E. (Los Altos CA) Helmer John C. (Menlo Park CA) Park Young H. (San Ramon CA) Cochran Ronald R. (Mountain View CA), Collimated deposition apparatus and method.
  3. Tepman Avi (Cupertino CA), Cylindrical sputtering shield.
  4. Koyama Shuji,JPX ; Kawajiri Yukio,JPX ; Shibata Makoto,JPX ; Sueoka Manabu,JPX ; Suzuki Toshio,JPX ; Yamamoto Hisashi,JPX ; Suzuki Takumi,JPX, Film forming apparatus with particle prevention plate.
  5. Face Dean Willett (Wilmington DE) Myers Kirsten Elizabeth (Philadelphia PA), High flow gas manifold for high rate, off-axis sputter deposition.
  6. Wolfe John C. (Houston TX) Ho Wong S. (Sugarland TX) Licon Darian L. (Houston TX) Chau Yat-Lung (Houston TX), Ion assisted deposition process including reactive source gassification.
  7. Scobey Michael A. (Marlborough MA), Low pressure reactive magnetron sputtering apparatus and method.
  8. Biberger Maximilian (Palo Alto CA) Conci Dennis (San Mateo CA), Method and apparatus for improved low pressure collimated magnetron sputter deposition of metal films.
  9. Cathey David A., Multi-planar angulated sputtering target and method of use for filling openings.
  10. Ireland P. J. ; Rhodes Howard ; Sharan Sujit ; Sandhu Sukesh ; O'Brien Tim ; Johnson Tim, Multiple species sputtering for improved bottom coverage and improved sputter rate.
  11. Krivokapic Zoran (Santa Clara CA) Bang David S. (Palo Alto CA), Multiple tier collimator system for enhanced step coverage and uniformity.
  12. Takehara Kei (Tokyo JPX), Reactive sputtering system.
  13. Yamada Yoshiaki,JPX ; Shinmura Toshiki,JPX, Sputtering apparatus.
  14. Hurwitt Steven D. (Park Ridge NJ) Wagner Israel (Monsey NY), Stationary aperture plate for reactive sputter deposition.
  15. Yoda Hiroaki,JPX ; Sawabe Atsuhito,JPX ; Inoue Naoyuki,JPX ; Hori Akio,JPX, Thin-film magnetic head having a portion of the upper magnetic core coplanar with a portion of the lower magnetic core.

이 특허를 인용한 특허 (10)

  1. Krasnov, Alexey; den Boer, Willem; Stinson, R. Glenn, Apparatus and method for making sputtered films with reduced stress asymmetry.
  2. Lu, Jiang; Ha, Hyoung-Chan; Ma, Paul F.; Ganguli, Seshadri; Aubuchon, Joseph F.; Yu, Sang-ho; Narasimhan, Murali K., Cobalt deposition on barrier surfaces.
  3. Lu, Jiang; Ha, Hyoung-Chan; Ma, Paul; Ganguli, Seshadri; Aubuchon, Joseph F.; Yu, Sang Ho; Narasimhan, Murali K., Cobalt deposition on barrier surfaces.
  4. Yoon, Ki Hwan; Cha, Yonghwa Chris; Yu, Sang Ho; Ahmad, Hafiz Farooq; Wee, Ho Sun, Deposition methods for barrier and tungsten materials.
  5. Yoon,Ki Hwan; Cha,Yonghwa Chris; Yu,Sang Ho; Ahmad,Hafiz Farooq; Wee,Ho Sun, Deposition methods for barrier and tungsten materials.
  6. Scott, Dane L.; Vasquez, Kevin J., Forming a semiconductor device feature using acquired parameters.
  7. Scott,Dane L.; Vasquez,Kevin J., Forming a semiconductor device feature using acquired parameters.
  8. Ganguli, Seshadri; Yu, Sang-Ho; Phan, See-Eng; Chang, Mei; Khandelwal, Amit; Ha, Hyoung-Chan, Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications.
  9. Ganguli, Seshadri; Yu, Sang-Ho; Phan, See-Eng; Chang, Mei; Khandelwal, Amit; Ha, Hyoung-Chan, Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications.
  10. Ganguli, Seshadri; Chu, Schubert S.; Chang, Mei; Yu, Sang-Ho; Moraes, Kevin; Phan, See-Eng, Process for forming cobalt-containing materials.
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