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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0158346 (2005-06-22) |
우선권정보 | KR-10-2004-0079902(2004-10-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 3 |
A row decoder circuit of a NAND flash memory and method of supplying an operating voltage using the same. To prevent an operating voltage (e.g., a program voltage, a pass voltage, or a read voltage) from being abnormally transferred to a gate of a memory cell because a pumping voltage is applied to
What is claimed is: 1. A row decoder circuit of a NAND flash memory device, the row decoder comprising: a block decoder selecting a specific one of a plurality of memory blocks included in a main memory array; a first switching block including pass transistors to transfer operating voltages to the
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