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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0643656 (2006-12-22) |
등록번호 | US-7479797 (2009-01-20) |
우선권정보 | KR-98-35677(1998-08-31); KR-1999-568(1999-01-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 17 |
A Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) test pattern circuit, which can reduce testing time and statistically improve a precision of measurement as well as a method for testing the test pattern circuit are discussed. Typically, a test pattern circuit includes in plurality of unit test patterns.
What is claimed is: 1. A method for testing Time Dependent Dielectric Breakdowns (TDDBs) of metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor dielectric films using a TDDB test pattern, the method comprising: providing a plurality of unit test pattern cells between a first node and a second node, each of t
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