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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0712841 (2007-03-01) |
등록번호 | US-7635413 (2010-01-08) |
우선권정보 | JP-2004-257041(2004-09-03); JP-2004-304132(2004-10-19); JP-2004-338898(2004-11-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 9 |
A SiC single crystal is produced by the solution growth method in which a seed crystal attached to a seed shaft is immersed in a solution of SiC dissolved in a melt of Si or a Si alloy and a SiC single crystal is allowed to grow on the seed crystal by gradually cooling the solution or by providing a
The invention claimed is: 1. A method for producing a silicon carbide single crystal comprising immersing a seed crystal on which SiC is to be grown by the solution growth method and which is attached to a seed shaft in a melt in a rotating crucible, the melt comprises Si and C and at least one met
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