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NTIS 바로가기국가/구분 | WIPO(WO) A1 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | JP-0071673 (2016-07-25) |
공개번호 | WO-0022536 (2017-02-09) |
우선권정보 | JP-2015156038 (2015-08-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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When producing an SiC single crystal with a solution method, a crucible having SiC as the primary component and having an oxygen content of no greater than 100 ppm is used as the crucible that serves as a housing unit of an Si-C solution. In another embodiment, a sintered body having SiC as the prim
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