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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0209920 (2008-09-12) |
등록번호 | US-7719913 (2010-06-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 199 |
A sensing method for a memory cell as described herein includes selecting a memory cell. A first bias applied to the memory cell induces a first response in the memory cell. A second bias applied to the memory cell induces a second response in the memory cell, the second bias different from the firs
What is claimed is: 1. A sensing method for a memory cell, the method comprising: selecting a memory cell; applying a first bias to the memory cell to induce a first response in the memory cell; applying a second bias to the memory cell to induce a second response in the memory cell, the second bia
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