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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | 16386667 (2019-04-17) |
등록번호 | 11120871 (2021-09-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
A method of denoising intrinsic sneak currents in a PRAM memory array of M wordlines and N bitlines includes receiving, by the PRAM memory array, an input read address; and selecting from a table of wordline distances from a sense-amplifier versus estimated optimal currents for those wordline distan
1. A method of denoising intrinsic sneak currents in a PRAM memory array of M wordlines and N bitlines, comprising the steps of: receiving, by the PRAM memory array, an input read address; andselecting a reference current for a distance closest to the received input read address, wherein the referen
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