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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0334726 (2008-12-15) |
등록번호 | US-8557712 (2013-10-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 28 인용 특허 : 55 |
New methods of filling gaps with dielectric material are provided. The methods involve plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of a flowable polymerized film in a gap, followed by an in-situ treatment to convert the film to a dielectric material. According to various embodiments, the in-si
1. A method of filling gaps on a substrate with dielectric material comprising: placing the substrate in a reaction chamber;introducing a process gas comprising a silicon-containing compound and an oxidant into the reaction chamber, wherein the oxidant is selected from oxygen (O2) and ozone (O3);exp
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