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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0303292 (2014-06-12) |
등록번호 | US-8951913 (2015-02-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 1 |
Native oxides and associated residue are removed from surfaces of a substrate by sequentially performing two plasma cleaning processes on the substrate in a single processing chamber. The first plasma cleaning process removes native oxide formed on a substrate surface by generating a cleaning plasma
1. A method of processing a substrate disposed in a processing chamber, the method comprising: maintaining a substrate disposed in a processing chamber at a temperature less than about 75 degrees Celsius, the substrate having a silicon containing layer exposed through an opening in a nitride layer;
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