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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0337224 (2016-10-28) |
등록번호 | US-9899441 (2018-02-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 1 |
A method for manufacturing a deep trench isolation (DTI) structure with a tri-layer passivation layer is provided. An etch is performed into a semiconductor substrate to form a trench. A first undoped semiconductor layer is formed by epitaxy lining surfaces of the semiconductor substrate that define
1. A method for manufacturing a deep trench isolation (DTI) structure with a tri-layer passivation layer, the method comprising: performing an etch into a semiconductor substrate to form a trench;forming a first undoped semiconductor layer directly contacting surfaces of the semiconductor substrate
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