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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0456759 (2017-03-13) |
등록번호 | US-10121647 (2018-11-06) |
우선권정보 | JP-2014-193435 (2014-09-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
An etching fault is suppressed by use of an etching gas containing iodine heptafluoride. Provided is an attached substance removing method of removing an attached substance containing an iodine oxide attached to a component included in a chamber or a surface of a pipe connected with the chamber by u
1. An attached substance removing method of removing an attached substance containing an iodine oxide attached to a surface of a component included in a chamber or a surface of a pipe connected with the chamber by use of a cleaning gas containing a fluorine-containing gas in a plasma free state. 2.
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