최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0640068 (2017-06-30) |
등록번호 | US-10199267 (2019-02-05) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 15 |
Provided herein are methods of tungsten nitride (WN) deposition. Also provided are stacks for tungsten (W) contacts to silicon germanium (SiGe) layers and methods for forming them. The stacks include SiGe/tungsten silicide (WSix)/WN/W layers, with WSix providing an ohmic contact between the SiGe and
1. A method comprising: providing a feature formed in a dielectric layer and a silicon germanium (SiGe) layer on a substrate, wherein the feature comprises a SiGe surface;exposing the SiGe surface to nitrogen radicals to treat the SiGe surface;depositing a tungsten (W) layer on the treated SiGe surf
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.