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NTIS 바로가기국가/구분 | WIPO(WO) A1 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0014567 (2015-02-05) |
공개번호 | WO-0120118 (2015-08-13) |
우선권정보 | US-201414176403 (2014-02-10); US-201414312427 (2014-06-23); US-201514600506 (2015-01-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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A method for manufacturing a laser diode device includes providing a substrate having a surface region and forming epitaxial material overlying the surface region, the epitaxial material comprising an n-type cladding region, an active region comprising at least one active layer overlying the n-type
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