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NTIS 바로가기국가/구분 | WIPO(WO) A1 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0057403 (2015-10-26) |
공개번호 | WO-0069487 (2016-05-06) |
우선권정보 | US-201462068693 (2014-10-26); US-201562137242 (2015-03-24); US-201562242614 (2015-10-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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A memory system able to store information using a hybrid volatile and nonvolatile memory device organized in a stacking configuration is disclosed. The memory system, in one aspect, includes memory components, a drain select gate ("DSG") transistor, and a capacitor component. Each memory c
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