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NTIS 바로가기등록일자 | 2008-08-22 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=a1e22e1cf3df4d5dabb8c0bdf297fabf&fileSn=1&bbsId= |
○ 최근에 짧은 채널효과에 의해 발생하는 소비전력의 증가현상이 문제점으로 지적되고 있다. 독립된 더블 게이트를 갖는 4단자 FinFET는 짧은 채널효과를 억제하는 탁월한 능력을 갖고 있으며, 문턱전압을 자유롭게 제어할 수 있는 특징을 갖고 있어 이 문제점을 해결하는 소자로 주목받고 있다.
○ 본고에서는 4단자 FinFET의 실용화를 위해 해결해야 할 과제와 대책에 대해 고찰하였다. 즉, 더블 게이트의 분리기술, 성능을 향상시킬 수 있는 게이트 절연막 두께의 비대칭화 기술을 고찰하고, 4단자 FinFET를 이용한
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