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NTIS 바로가기등록일자 | 2009-04-24 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=565f4828057540988b2553253dbbe3ad&fileSn=1&bbsId= |
○ 70년대 말, 벌크 절연게이트로 된 MOSFET의 근본적인 한계성으로 인하여 크기를 축소하여 성능을 개선하는 것이 어렵게 되자, 학계와 산업계는 트랜지스터 운전상의 특성 개선으로 전반적인 성능 개선을 도모하는 방향으로 많은 노력을 기울였으며 당시 등장한 기술이 SOI(silicon-on-insulator)소자였다.
○ SOI 구조에서는 활성 실리콘 영역이 절연층 위에 놓여 있는데 이로 인하여 각 소자가 전기적으로 절연되어 있는 상태이며, 장점은 기생 정전용량이 크게 줄어들고 저전압, 저전력 운전
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