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NTIS 바로가기등록일자 | 2009-05-27 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=96c7743dc0f84981906221913cd1a526&fileSn=1&bbsId= |
○ 가상의 MOSFET를 실제와 유사하게 설정하고 각종 내부 파라미터(캐리어 이동도 등)를 부여한 후 실제 제품에서 측정 가능한 파라미터(예: Coss)를 산출하여 측정치에 근거한 데이터시트 정보와 비교하면서 보다 실제에 가까운 가상 MOSFET를 다듬어 가는 기법은 참신하면서도 신뢰성 있는 시뮬레이션 모델 피팅(fitting) 기법이라고 볼 수 있다. 가상 MOSFET에서 산출한 측정 가능한 파라미터들의 값이 실제 제품의 값과 가까우면 가까울수록 측정 불가능한 파라미터들에 대해 신뢰도는 높다고 볼 수 있을 것이다.
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