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NTIS 바로가기등록일자 | 2009-08-14 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=3239f3dd55ba4fab8c8695712cae539e&fileSn=1&bbsId= |
○ 전력 MOSFET는 낮은 통전 전력 손실, 높은 입력임피던스, 빠른 스위칭속도 덕분에 전압 범위 200V 이하 영역에서 다양한 전력 변환 응용 분야에 사용되는 중요한 독립(discrete) 소자이다.
○ 증가하는 인기도는 온저항을 줄이고 다이(die) 크기를 줄이며 비용을 줄이기 위한 노력이 더욱 커지게 만들었다. 특히 50V 이하에서 더욱 그러하였다. 이는 주로 증가 일로에 있는 고성능, 작은 크기, 연장된 배터리 수명을 구비한 포터블 전자기기(예를 들면 개인컴퓨터, 이동전화)에 대한 구매욕구가 증가하기
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