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NTIS 바로가기등록일자 | 2010-03-23 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=48bd40bcd88a4d5fbe1f889ed229e0a5&fileSn=1&bbsId= |
○ 일반적으로 사용하고 있는 에너지 중에서 50% 정도를 전기에너지로 소비하는데 에너지를 전력으로 변환할 시에 에너지손실 감소가 효과적이다. Si파워디바이스는 재료물성 한계가 있기 때문에 대폭의 성능 개선이 곤란해 Si 대신 SiC 반도체가 등장하고 있다.
○ Si반도체는 n형과 p형 도팬트(Dopants)로 사용하는 반도체이지만 밴드-갭이 1.12eV이고 3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiC 등의 밴드-갭은 2.23~3.26eV정도로 Si 밴드-갭보다 크기 때문에 SiC를 파워디바이스로 사
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