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NTIS 바로가기등록일자 | 2010-04-12 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=151ff7c779c7476694ad79b1f1163eda&fileSn=1&bbsId= |
○ 전력용 반도체에서 SiC는 Si의 이론적 물성한계를 극복할 수 있는 소재로, 단결정 웨이퍼의 대구경화, 저 결함 등으로 각광을 받고 있다. SiC 파워 디바이스 반도체는 대전류 용량의 SiC 스위칭 디바이스가 개발되고, 인버터 등의 전력변환 장치의 응용에도 본격적으로 검토되고 있다.
○ 반도체 파워 손실의 최소화는 2000년대 에너지, 전자, 정보통신 산업분야 중요한 요구사항 중 하나이다. SiC 반도체는 Si에 비하여 밴드 캡이 높고, 절연파괴 강도가 한자리 수 이상, 전자포화속도, 열전도도가 3배 크므로
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