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NTIS 바로가기등록일자 | 2013-05-22 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=9db5af866f9d4fad99d4c2cab8dd544b&fileSn=1&bbsId= |
○ SiC기판을 이용한 파워 디바이스는 기존의 Si제품과 비교할 때 저손실, 고속, 고온작동이 가능하기 때문에 국내외에서 전기자동차를 비롯하여 각종 산업기기에 응용을 목표로 연구개발이 활발하다. 이 자료는 일본 Ebara제작소와 Osaka대학 연구진이 공동으로 개발 중인 SiC 연마용 촉매 표면반응을 이용한 평탄화기법인 CARE법(Catalyst Surface Referred Etching)을 소개한다.
○ 반도체 SiC기판의 제작공정은 기판표면을 연마하여 평탄하고 손상이 없는 상태로 만드는 작업부터 시작한
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