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NTIS 바로가기등록일자 | 2013-08-22 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=8e0cc1696c114f9d98e53c75723fc717&fileSn=1&bbsId= |
비휘발성 메모리는 전원이 꺼져도 데이터가 남아 있는 장점 때문에 스마트폰에서 로봇에 이르기 까지 응용제품의 시장이 가장 빠르게 성장하고 있다. 높은 저장밀도, 읽기/쓰기의 고속화, 저소비전력 등에 대한 지속적인 요구는 비휘발성 메모리에 관한 재료, 물리적 원리, 디바이스 설계 등에서 혁신적인 발전을 촉진하고 있다. 이 분야에서 신기술로 주목되고 있는 후보기술의 하나로서 강유전 터널접합(FTJ : ferroelectric tunnel junction)이 있다.
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