최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기등록일자 | 2006-08-16 |
---|---|
출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/446108 |
문서암호 : www.kosen21.org
1. 분석자 서문
본 자료는 CMOS 트랜지스터 소자의 게이트 절연막 물질로 사용되고 있는 기존의 실리콘 계열 절연막을 고유전율 절연막으로 대체하기 위한 기술적인 과제들에 대해 상세하게 정리하고 있다. 고유전율 절연막을 사용하는 것은, ITRS에서 요구하는 트랜지스터의 누설 전류를 저감하는 데는 매우 유용한 방법이지만, 실제 집적 회로 상에서 이를 사용하기 위해서는 몇 가지 중요한 문제를 해결해야 할 필요가 있다. 본 자료에서는 고유전율 게이트 절연막을 채용한 소자의
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.