최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기등록일자 | 2006-09-05 |
---|---|
출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/452249 |
문서암호 : www.kosen21.org
1. 분석자 서문
고유전율 산화막을 CMOS 소자의 게이트 절연막으로 사용하고자 하는 기술적인 시도는, 지난 수십 여 년간 진행되어 온 CMOS 기반 LSI의 스케일링을 향후에도 지속적으로 이어나가기 위한 핵심적인 이슈로 자리매김하고 있다. 하지만, 고유전율 절연막을 실제 상용 소자에 도입하는 것은 아직 상당히 많은 문제를 수반한다. 본 자료는 고유전율 절연막의 재료 및 물리 현상을 심도 있게 이해하고, 이들 물리 현상이 게이트 절연막의 응용에 필요한 다양한 특성들과
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.