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NTIS 바로가기DRAM 소자의 지속적인 고직접화를 위해 다양한 물질들이 연구 중에 있다. 현재 ZrO2 박막 사이에 Al2O3 박막을 ALD로 구현한 소위 ZAZ라 불리는 ZAZ 커패시터 구조가 최근 DRAM High-k ...
저자 | 김다영 |
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학위수여기관 | 부산대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 재료공학과 |
지도교수 | 권세훈 |
발행연도 | 2018 |
총페이지 | vi, 72장 |
키워드 | 원자층 증착법 DRAM Capacitor ALD |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T14782782&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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