초록 ▼

1. 분석자 서문
일렉트로마이그레이션 현상(Electromigration)은 전기적, 열적, 기계적 특성이 복합적으로 작용하여 일어나는 현상이다. 이 현상은 1861년에 납에서 발견된 이래로 100년 후 1966년 반도체 소자의 알 수 없는 불량문제를 연구하다가 다시 깊이있는 연구가 이루어졌고 반도체 집적회로의 신뢰성에 가장 크게 영향을 미치는 인자이다. 특히 반도체 소자의 금속배선자체가 공정에 민감하게 물리적 특성이 변하고 또한 계면간의 상화작용이 매우 큰 일렉트로마이그레이션 특성 변화를 가져오기 때문에 이를 모두 고려하여

1. 분석자 서문
일렉트로마이그레이션 현상(Electromigration)은 전기적, 열적, 기계적 특성이 복합적으로 작용하여 일어나는 현상이다. 이 현상은 1861년에 납에서 발견된 이래로 100년 후 1966년 반도체 소자의 알 수 없는 불량문제를 연구하다가 다시 깊이있는 연구가 이루어졌고 반도체 집적회로의 신뢰성에 가장 크게 영향을 미치는 인자이다. 특히 반도체 소자의 금속배선자체가 공정에 민감하게 물리적 특성이 변하고 또한 계면간의 상화작용이 매우 큰 일렉트로마이그레이션 특성 변화를 가져오기 때문에 이를 모두 고려하여 신뢰성 향상을 꾀할 수 있다. 이러한 연구는 역사적으로 이론적인 측면과 실험적인 측면으로 동시에 진행되었다. 하지만 일렉트로마이그레이션 현상 연구가 아주 단순화된 모델에 기반하여 진행되었기 때문에 실제적인 문제를 해결하는 데에 한계도 있다. 본 논문은 일렉트로마이그레이션의 기본적인 개념과 연구를 위한 다양한 접근 방법을 실험적인 면과 모델링 2가지 측면에서 잘 정리하고 있다. 이번 요약에서는 이 분야를 새롭게 연구하는 분들이나 전반적인 연구흐름을 알고자 하는 분들에게 도움이 되고자 일렉트로마이그레이션 실험과 모델링에 대해 꼭 알아두어야 할 부분에 대해서 짧지만 아래와 같이 정리하였다. 이 정리가 일렉트로마이그레이션에 대한 이해와 연구에 많은 참조와 도움이 되기를 바란다.
2. 목차
1. 개요1.1. 일렉트로마이그레이션에 기인한 불량1.2.일렉트로마이그레이션 역사1.3. 일렉트로마이그레이에서의 물리학 (The physics of electromigration)
2. 실험적 연구 2.2. 미세구조의 영향 (The impact of microstructure )2.3. 계면의 영향 (The impact of interfaces )2.4. 실험적, 가실험적 연구들 (Empirical and semi-empirical studies)
3. 일렉트로마이그레이션 모델링 기법 3.1. 동공 생성전의 물질 이동 (Material transport prior to void nucleation)3.2. 탄성 특성의 이방성 (The anisotropy of elastic properties) 3.3. 일렉트로마이그레이션 이방성에 의한 응력 (Stress induced anisotropy of electromigration)3.4. 입계 이동 (Grain boundary movement )3.5. 동공 생성 (Void nucleation)3.6. 동공 성장 (Void evolution)3.7. 원자와 연속성 레벨 융합 (Integration of atomistic and continuum-level models)3.8. 전산모사를 위한 시나리오 사용 (Usage scenarios for simulation)
4. 일렉트로 마이그레이션 전산모사 연구 4.1.리던던트비아의 일렉트로 마이그레이션 (Electromigration in redundant vias)4.2. 응력의존 일렉트로마이그레이션 (Stress-dependent electromigration )4.3. 일렉트로마이그레이션 통계 (Electromigration statistics)
5. 새로운 접근방법들 5.1. 원자 유량 발산 접근법 (The atomic flux divergence approach)5.2. 미세구조에서의 일렉트로 마이그레이션 응력 성장 (Electromigration stress evolution in microstructure)
6. 정리 및 결론
References
3. 원문정보
Electromigration in submicron interconnect features of integrated circuits/ H. Ceric and S. Selberherr/ Materials Science and Engineering: R: Reports/ 2011년2 월 4일
※ 이 자료의 분석은 Institute of Microelectronics Singapore의 윤승욱님께서 수고해 주셨습니다.