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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
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연구책임자 | 안광덕 |
참여연구자 | 정동욱 , 최향숙 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1988-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200000797 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 반도체 미세가공.레지스트 고분자.원자외선 레지스트.PMIPK 레지스트.건식 엣칭 내성 레지스트.화학증폭 작용.고분자의 광분해.내열성 레지스트 재료. |
우수한 물성의 반도체 초미세 가공용 레지스트 재료를 개발하는 초기 연구로서 기존의 원자외선 레지스트 고분자인 Poly(Methyl Isopropenyl Ketone),PMIPK을 화학적으로 개질하여 감광성과 건식엣칭 내성의 증진을 시도하였다. p-t-butylbenzoyl기와 Trimethylsilyl기를 PMIPK의 옥심 반응을 통하여 도입하였다. 이렇게 하여 개질된 고분자 PMIPK-TB/Si는 최대광흡수가 245mm 부근에서 일어나고 자외선 노광으로 분해되는 것이 밝혀졌다. 내열성 레지스트 재료의 연구로서 Succinimide
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