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반도체 미세형상용 레지스트의 개발
Development of Resists for Microlithography 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
연구책임자 안광덕
참여연구자 정동욱 , 최향숙
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1988-04
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
등록번호 TRKO200200000797
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 반도체 미세가공.레지스트 고분자.원자외선 레지스트.PMIPK 레지스트.건식 엣칭 내성 레지스트.화학증폭 작용.고분자의 광분해.내열성 레지스트 재료.

초록 ▼

우수한 물성의 반도체 초미세 가공용 레지스트 재료를 개발하는 초기 연구로서 기존의 원자외선 레지스트 고분자인 Poly(Methyl Isopropenyl Ketone),PMIPK을 화학적으로 개질하여 감광성과 건식엣칭 내성의 증진을 시도하였다. p-t-butylbenzoyl기와 Trimethylsilyl기를 PMIPK의 옥심 반응을 통하여 도입하였다. 이렇게 하여 개질된 고분자 PMIPK-TB/Si는 최대광흡수가 245mm 부근에서 일어나고 자외선 노광으로 분해되는 것이 밝혀졌다. 내열성 레지스트 재료의 연구로서 Succinimide

목차 Contents

  • 제1장 서론...14
  • 제1절 미세가공기술(Lithography)과 레지스트(Resist)재료...14
  • 제2절 포토레지스트의 요구특성과 종류...18
  • 제3절 포지형 레지스트...21
  • 1. 노볼락 매트릭스 수지...22
  • 2. 나프토퀴논디아지드와 광화학 반응...22
  • 3. 조성과 현상...26
  • 4. 새로운 포지형 매트릭스 수지...28
  • 제4절 초미세가공용 레지스트...29
  • 1. 미세가공기술의 발전...29
  • 2. 원자외선 레지스트...31
  • 3. 전자선 레지스트...35
  • 가. Negative EB Polymers...36
  • 나. Positive EB Polymers...38
  • 4. X-선 레지스트...41
  • 제5절 연구의 목적과 범위...44
  • 1. 고성능 레지스트 재료의 연구개발...44
  • 2. 연구개발 추진체계...47
  • 제2장 실험...49
  • 제1절 시약 및 기기...49
  • 1. 시약...49
  • 2. 기기...49
  • 제2절 N-T-Buty1기 함유한 단량체의 합성...50
  • 1. N-t-Butyldimethacrylamide의 합성...50
  • 2. N-t-Butylmaleimide의 합성...53
  • 제3절 PMIPK의 개질 반응...56
  • 1. PMIPK의 옥심화 반응...56
  • 2. PMIPK-oxime의 Silylation...58
  • 제4절 광산분해성(Photoacidolysis) 고분자의 합성...58
  • 1. 광산발생제 2,3-Butanedione-monooxime P-toluenesulfonate 의 합성...58
  • 2. t-BOC 함유 말레이미드 고분자의 합성...62
  • 제3장 결과 및 고찰...70
  • 제1절 PMMA와 PMIPK계 개질 레지스트의 물성...70
  • 제2절 PMIPK 원자외선 레지스트의 개질...71
  • 제3절 N-t-Buty1기를 함유한 Imide 고분자...76
  • 제4절 화학증폭성을 갖는 t-BOC 함유 고분자...81
  • 제4장 결론...87
  • 참고문헌...89

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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