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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
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연구책임자 | 한경섭 |
참여연구자 | 이희동 , 하정수 , 감직상 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1989-05 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200000842 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 고열전 재료.알라미늄 나이트라이드.질화알루미늄.첨가제.열전도도.AIN.Aluminium Nitride.Thermal Conductivity.Additive. |
질화알루미늄은 높은 열전율 고절연성을 가진 재료로서 발열량이 많게 되어 소자의 신뢰성에 영향을 주는 열전성 때문에 특히 주목되고 있다. 절연체의 열전도율은 Phonon 전도에 의해 지배되고 높은 열전도율을 가지기 위해서는 구성원자량이 적고,구성원소의 원자량이 서로 비슷하고, 원자간 결합이 강하고 결정구조가 간단하고,격자진동의 대칭성이 좋아야 한다. 이러한 조건을 만족하는 재료는 다이어몬드,CBN,SiC,BeC,AIN 등 결정구조가 공유결합성이 강한 Diamond형,Wurtrite 형이 많다. 그러나 실용을 위해서는 Diamond C
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