초록 ▼

질화 알루미늄은 높은 열전도율 및 고절연성을 가진 재료로서 주목받고 있으며 이는 고전력 Device 반도체소자,광 Device의 급격한 수요와 산업전자 기기 등의 소형화 요청에 따른 고집적,고밀도에 따른 단위체적당 발열량이 많게 되어 반도체 소자의 신뢰성에 크게 영향을 미치기 때문이다. 절열체의 열전도율은 Phonon 전도에 의해 지배되고,고열전도율을 가지기 위해서는 원자간 결합이 강하고,결정구조가 간단하며,격자진도의 대칭성이 좋아야 하는 조건을 만족하는 재료중에서 고절연성,고열전도성,가격면에서 AIN이 가장 적당한 재료이다. 고열

질화 알루미늄은 높은 열전도율 및 고절연성을 가진 재료로서 주목받고 있으며 이는 고전력 Device 반도체소자,광 Device의 급격한 수요와 산업전자 기기 등의 소형화 요청에 따른 고집적,고밀도에 따른 단위체적당 발열량이 많게 되어 반도체 소자의 신뢰성에 크게 영향을 미치기 때문이다. 절열체의 열전도율은 Phonon 전도에 의해 지배되고,고열전도율을 가지기 위해서는 원자간 결합이 강하고,결정구조가 간단하며,격자진도의 대칭성이 좋아야 하는 조건을 만족하는 재료중에서 고절연성,고열전도성,가격면에서 AIN이 가장 적당한 재료이다. 고열전도성을 얻기 위해서는 치밀한 소결체가 되어야 하고 산소화 같은 불순물을 제거하는 것이 필요하다. 치밀한 소결체를 얻기 위해서 원료 분말의 조건을 얻기 위해 위해서 원료 분말의 조건은 입경이 작고 균일하며,구상이며 고순도가 요구되고 알맞은 소결조제의 첨가가 필요하다. 첨가물에 관한 연구로서 첨가물에 의한 열전도도의 변화,첨가물량에 따른 열전도도 변화를 상대비교 연구하여 DBC Packages등에 활용되는 최적조건을 규명하였다.

Abstract ▼

The microstructure should he controlled to achieve desired properties such as high thermal conductivity and transparency. The starting ceramic power should have small in particle size, homegeneity and Coalescent. Moreover the impurity content such as $0_2$, C and A1 is critical factor esp

The microstructure should he controlled to achieve desired properties such as high thermal conductivity and transparency. The starting ceramic power should have small in particle size, homegeneity and Coalescent. Moreover the impurity content such as $0_2$, C and A1 is critical factor especially the high thermal conductivity and transparency. In this research, it was examined the effect of additives on the thermal conductivity as well as the mechanical properties of AIN.

목차 Contents

• 제1장 서론 및 문헌조사...13
• 제2장 실험방법 및 절차...47
• 제3장 실험결과 및 고찰...59
• 제4장 결론...105
• 참고문헌...106