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초고집적 반도체기술 (차세대기억소자) 공동개발(2차년도)
Joint Development of ULSI Semiconductor Technology (Next Generation Memory Device) -The 2nd Year- 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
연구책임자 이진효
참여연구자 김창수 , 이윤우 , 박광오 , 민병환
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1991-04
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
등록번호 TRKO200200002963
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 기억소자.설계.공정.소자.시험검사.재료.장비.회로.물성분석.엑시머 레이저.식각.3-D.최소선폭.시뮬레이션.트랜시스터.Cell.Transistor.Capactior.Lithography.Photoresist.Si Wafer.Interconnection.Device.Design.Test.16M DRAM.64M DRAM.Design Rule.Reliability.

초록 ▼

초고집적 반도체기술 (차세대기억소자) 공동개발 2차년도에는 당초 목표대로 0.5-0.6μm 16M DRAM 시제품 개발을 완료하였으며, 64M DRAM을 위한 Cell구조, 소자 및 핵심공정기술을 연구하였고 또한 장비분야에서는 ECR 및 RIE 식각장비와 감광제처리 장비의 시제품도 개발하였으며, 엑시머 레이저 스텝퍼 장비의 기본설계도 수행되었다. 아울러 재료기술 분야에서는 엑시머 레이저및 엑스 레이 레지스트 고분자 합성및 물성연구가 이루어졌으며, 대구경-실리콘 웨이퍼 단위공정기술도 수행되었다. 공동개발 사업을 통한 자체기술 개발능력

목차 Contents

  • 제1장 서론...17
  • 제2장 16/64M DRAM 제품기술 분야...20
  • 제1절 16M DRAM 설계기술...21
  • 제2절 16M DRAM 소자기술...47
  • 제3절 16M DRAM 종합공정기술...72
  • 제4절 64M DRAM 제품기술...126
  • 제3장 단위공정기술 분야...167
  • 제1절 배선공정기술 개발...168
  • 제2절 입체축전공정기술 개발...188
  • 제3절 3-D Capacitor 공정기술 개발...219
  • 제4장 요소기술 분야...239
  • 제1절 Cell구조 연구...240
  • 제2절 선행공정기술 연구...269
  • 제5장 장비기술 분야...292
  • 제1절 엑시머 레이저 스텝터기술 개발...293
  • 제2절 정렬계기술 개발...312
  • 제3절 엑시머 레이저(ArF)기술 개발...326
  • 제4절 엑시머 레이저용 광학계기술 개발...340
  • 제5절 RIE 장비 개발...357
  • 제6절 ECR Etcher 개발...381
  • 제7절 PR Coater/Developer 개발...397
  • 제6장 재료기술 분야...423
  • 제1절 엑시머 레이저 레지스트 개발...424
  • 제2절 엑스선 레지스트 개발...441
  • 제3절 대구경 실리콘 웨이퍼 개발...458
  • 제7장 기초기술 연구 분야...474
  • 제1절 서론...475
  • 제2절 본론...477
  • 제3절 결론...517
  • 제8장 공동연구관리 분야...518
  • 제1절 서론...519
  • 제2절 본론...520
  • 제3절 결론...532
  • 제9장 결론...534
  • 부록 1. 참여 연구원 명단...537

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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