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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
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연구책임자 | 이진효 |
참여연구자 | 김창수 , 이윤우 , 박광오 , 민병환 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1991-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
등록번호 | TRKO200200002963 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 기억소자.설계.공정.소자.시험검사.재료.장비.회로.물성분석.엑시머 레이저.식각.3-D.최소선폭.시뮬레이션.트랜시스터.Cell.Transistor.Capactior.Lithography.Photoresist.Si Wafer.Interconnection.Device.Design.Test.16M DRAM.64M DRAM.Design Rule.Reliability. |
초고집적 반도체기술 (차세대기억소자) 공동개발 2차년도에는 당초 목표대로 0.5-0.6μm 16M DRAM 시제품 개발을 완료하였으며, 64M DRAM을 위한 Cell구조, 소자 및 핵심공정기술을 연구하였고 또한 장비분야에서는 ECR 및 RIE 식각장비와 감광제처리 장비의 시제품도 개발하였으며, 엑시머 레이저 스텝퍼 장비의 기본설계도 수행되었다. 아울러 재료기술 분야에서는 엑시머 레이저및 엑스 레이 레지스트 고분자 합성및 물성연구가 이루어졌으며, 대구경-실리콘 웨이퍼 단위공정기술도 수행되었다. 공동개발 사업을 통한 자체기술 개발능력
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