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초고집적 반도체기술 공동개발 (3차년도)
Associated Development of ULSI Semiconductor Technology (The 3rd Year) 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
연구책임자 경상현
참여연구자 김정덕 , 권오준 , 이진효 , 강상원 , 최영일 , 최민성 , 정진용 , 송낙운 , 김동원 , 윤정세 , 이윤우 , 박용의 , 신윤승 , 홍승각 , 최수한 , 이종길 , 이문용 , 공정택 , 신창대 , 박광오 , 주숭일 , 김태선 , 조경익 , 이중환 , 이원형 , 윤선진 , 백문철 , 광병화 , 이상환 , 김상기 , 차주연 , 이희태 , 송원철 , 신용석 , 김기현 , 이종남 , 유종선 , 백종태 , 전영진 , 이진호 , 백규하 , 유현규
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1989-06
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
등록번호 TRKO200200003061
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 설계.공정.소자.시험검사.신뢰성.포장.단위공정.종합공정.4M DRAM.DEVICE.PROCESS INTEGRATION.LITHOGRAPHY/ETCH.ISOLATION.THIN DIELECTRIC FILM.INTERCONNECTION.TRENCH.PACKAGE.SIMULATION.TEST/RELIABILITY.MEMORY.EVALUATION.CELL.

초록 ▼

초고집적 기억 소자 기술은 단일 품목으로 수요가 가장 클뿐만 아니라 반도체 제조 공정 기술 분야의 핵심적 역활을 하고, 전자.통신.컴퓨터 등 정보산업분야의 핵심적 역활을 한다. 따라서 본과제의 최종 목표는 0.8㎛ 선폭의 4M DRAM 개발로써 제품 설계, 종합 공정, 소자의 제품기술분야, 미세 선폭 가공, 소자격리, 초박막 절연체, 금속 배선 형성, 입체구조축전의 개별 공정 기술분야, 시험 및 신뢰성, 보호막 및 포장, 시뮬레이션의 협동 기술 분야 및 기타 분야로써 반도체 소재 및 표면 분석 기술과 기초 기술 개발등이다. 본 과제

목차 Contents

  • 제1장 서 론...14
  • 제2장 제품기술 분야...16
  • 제1절 제품설계기술개발...16
  • 제2절 종합공정기술개발...45
  • 제3절 소자기술개발...86
  • 제3장 개별공정기술 분야...134
  • 제1절 미세선폭 가공기술개발...134
  • 제2절 소자격리기술개발...151
  • 제3절 초박막 절연체 기술개발...159
  • 제4절 금속배선 형성 기술개발...169
  • 제5절 입체구조 축전 기술개발...176
  • 제4장 협동기술 분야...181
  • 제1절 보호막 및 포장기술개발...181
  • 제2절 시뮬레이션 기술개발...189
  • 제3절 시험 및 신뢰성 기술개발...213
  • 제5장 연구소 수행 분야...263
  • 제1절 반도체소재 및 표면분석 기술...263
  • 제2절 평가공통 기초연구...307
  • 제6장 결 론...364
  • 부록1.참여연구원 명단...366

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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