최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
---|---|
연구책임자 | 경상현 |
참여연구자 | 김정덕 , 권오준 , 이진효 , 강상원 , 최영일 , 최민성 , 정진용 , 송낙운 , 김동원 , 윤정세 , 이윤우 , 박용의 , 신윤승 , 홍승각 , 최수한 , 이종길 , 이문용 , 공정택 , 신창대 , 박광오 , 주숭일 , 김태선 , 조경익 , 이중환 , 이원형 , 윤선진 , 백문철 , 광병화 , 이상환 , 김상기 , 차주연 , 이희태 , 송원철 , 신용석 , 김기현 , 이종남 , 유종선 , 백종태 , 전영진 , 이진호 , 백규하 , 유현규 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1989-06 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
등록번호 | TRKO200200003061 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 설계.공정.소자.시험검사.신뢰성.포장.단위공정.종합공정.4M DRAM.DEVICE.PROCESS INTEGRATION.LITHOGRAPHY/ETCH.ISOLATION.THIN DIELECTRIC FILM.INTERCONNECTION.TRENCH.PACKAGE.SIMULATION.TEST/RELIABILITY.MEMORY.EVALUATION.CELL. |
초고집적 기억 소자 기술은 단일 품목으로 수요가 가장 클뿐만 아니라 반도체 제조 공정 기술 분야의 핵심적 역활을 하고, 전자.통신.컴퓨터 등 정보산업분야의 핵심적 역활을 한다. 따라서 본과제의 최종 목표는 0.8㎛ 선폭의 4M DRAM 개발로써 제품 설계, 종합 공정, 소자의 제품기술분야, 미세 선폭 가공, 소자격리, 초박막 절연체, 금속 배선 형성, 입체구조축전의 개별 공정 기술분야, 시험 및 신뢰성, 보호막 및 포장, 시뮬레이션의 협동 기술 분야 및 기타 분야로써 반도체 소재 및 표면 분석 기술과 기초 기술 개발등이다. 본 과제
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.