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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 김충기 |
참여연구자 | 김문언 , 엄윤용 , 신현동 , 최진호 , 조병진 , 이동엽 , 송호준 , 하용민 , 장성진 , 이종욱 , 유영돈 , 이혁 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1990-07 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200003929 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 고속열처리공정.실리사이드 형성.다결정실리콘.금속계면처리 공정.SOI.RTP.Silicide.Polysilcon.Metal Alloy.SOI. |
1. 고속 열처리 공정
RTP 기술을 이용하여 sub-micron급의 초미세 전자소자의 제작에 필요한 실리사이드 형성과 alloy 공정을 위한 고속 열처리 장치를 설계, 제작하고 공정 기술들을 확립한다.
2. 폴리실리콘 증착
램프 가열방식을 이용한 cold wall 방식의 LPCVD 장비를 설계 제작한다. 제작된 cold wall 방식의 LPCVD 시스템에서 폴리실리콘을 증착하고 그 특성을 분석한다.
3. 폴리실리콘 재결정화
SOI 위에 전자소자 제작을 위하여 SOI 박막 형성을 위한 기술을 확립한다.
1. Rapid Thermal Processing
The object of this research is to establish the RTP technologies for silicide and alloy process which are necessary in fabricating sub-micro semiconductor devices.
2. Polysilicon Deposition
The object of this research is to make a lamp-heated LPCVD system of cold
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