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초미세 전자소자 기술개발에 관한 연구
Technology Development for Sub-micron Semiconductor Devices 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술원
Korea Advanced Institute of Science and Technology
연구책임자 김충기
참여연구자 김문언 , 엄윤용 , 신현동 , 최진호 , 조병진 , 이동엽 , 송호준 , 하용민 , 장성진 , 이종욱 , 유영돈 , 이혁
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1990-07
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국과학기술원
Korea Advanced Institute of Science and Technology
등록번호 TRKO200200003929
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 고속열처리공정.실리사이드 형성.다결정실리콘.금속계면처리 공정.SOI.RTP.Silicide.Polysilcon.Metal Alloy.SOI.

초록 ▼

1. 고속 열처리 공정
RTP 기술을 이용하여 sub-micron급의 초미세 전자소자의 제작에 필요한 실리사이드 형성과 alloy 공정을 위한 고속 열처리 장치를 설계, 제작하고 공정 기술들을 확립한다.
2. 폴리실리콘 증착
램프 가열방식을 이용한 cold wall 방식의 LPCVD 장비를 설계 제작한다. 제작된 cold wall 방식의 LPCVD 시스템에서 폴리실리콘을 증착하고 그 특성을 분석한다.
3. 폴리실리콘 재결정화
SOI 위에 전자소자 제작을 위하여 SOI 박막 형성을 위한 기술을 확립한다.

Abstract ▼

1. Rapid Thermal Processing
The object of this research is to establish the RTP technologies for silicide and alloy process which are necessary in fabricating sub-micro semiconductor devices.
2. Polysilicon Deposition
The object of this research is to make a lamp-heated LPCVD system of cold

목차 Contents

  • 제 1 부. 고속 열처리 장치를 이용한 티타늄 실리사이드의 형성...21
  • 제 1 장. 서론...22
  • 제 2 장. 고속 열처리 장치 제작...24
  • 제 1 절. Light box...24
  • 제 2 절. 반응 용기...27
  • 제 3 절. 진공 장치...27
  • 제 4 절. 정화 장치...30
  • 제 5 절. 온도 제어 장치...30
  • 제 3 장. 티타늄 실리사이드의 형성 및 특성...32
  • 제 1 절. 티타늄 실리사이드의 형성 과정...32
  • 제 2 절. 실험 및 결과 측정...32
  • 제 4 장. 접촉 저항 계산 및 측정...48
  • 제 1 절. 실험...48
  • 제 2 절. 금속 반도체 접촉의 specific 접촉 저항 계산...51
  • 제 3 절. 실험 결과 및 분석...59
  • 제 5 장. 결론...67
  • 참고문헌...68
  • 제 2 부. 고속 열처리 장치를 이용한 Metal Alloy...70
  • 제 1 장. 서론...71
  • 제 2 장. 금속 공정...73
  • 제 1 절. 금속 반도체 접촉...73
  • 제 2 절. 일반적인 금속공정 및 문제점...73
  • 제 3 장. Metal alloy공정 수행을 위한 고속 열처리 장치...79
  • 제 1 절. Light box...79
  • 제 2 절. IR filter와 온도 감지 장치...79
  • 제 3 절. Process chamber...83
  • 제 4 절. 냉각 장치 및 온도 제어 장치...83
  • 제 4 장. RTP system의 신뢰도 및 재현성...86
  • 제 1 절. 신뢰도...86
  • 제 2 절. 재현성...86
  • 제 5 장. 실험 결과 및 고찰...89
  • 제 1 절. Hillock 현상...89
  • 제 2 절. Junction spiking 현상...89
  • 제 3 절. Contact 저항...91
  • 제 4 절. C-V 특성...98
  • 제 5 절. Diode 특성...102
  • 제 6 장. 결과...113
  • 참고문헌...114
  • 제 3 부. 램프 가열 방식을 이용한 LPCVD 시스템의 설계 및 제작과 폴리실리콘 증착...116
  • 제 1 장. 서론...117

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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