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MOCVD에 의한 신기능 소자 제조기술 개발(II)
Development of New Functional Divice by MOCVD(II) 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
연구책임자 박형무
참여연구자 김무성 , 김현수 , 김은규 , 임경숙 , 김용 , 김성일 , 윤경식 , 이장우
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1990-06
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
등록번호 TRKO200200004152
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 정보화 사회.신기능 소자.공정 및 평가기술.수치 시뮬레이션.MOCVD.HEMT.Process & Characterization.δ-FET.Simulation.

초록 ▼

2000년대 고도 정보화 사회의 구현은 초고속,대용량 기억장치 및 논리회로에 이용한 고도 정보처리 System이 필수적이며 이에 가장 적합한 소자는 MEMT로서 특유의 높은 전자이동도와 포화속도를 갖는 최첨단 화합물반도체 소자이다. MEMT는 고도의 첨단기술을 필요로 하고 고부가가치 및 방위산업과의 밀접한 관계로 선진각국은 핵심기술의 해외이전을 기피하고 있다. 본 연구에서 MEMT를 비롯한 화합물반도체 신기능 소자의 제작을 연구 목표로 국내 전자,통신 산업에 기여하고자 한다. 기 수행한 초격자 및 MEMT 구조 성장 및 평가기술을

목차 Contents

  • 제 1 장 서론...23
  • 제 1 절 연구 개발의 목적과 범위...23
  • 제 2 절 보고서의 구성...26
  • 제 2 장 HEMT 구조의 에피 성장 (MOCVD)...27
  • 제 1 절 MOCVD 장치 및 성장 조건...27
  • 제 2 절 HEMT의 구조...30
  • 제 3 장 HEMT소자의 제작...32
  • 제 1 절 HEMT의 동작 이론과 최적화...32
  • 제 2 절 에피층 구조의 설계...47
  • 제 3 절 Mask 설계...54
  • 제 4 절 HEMT 소자 제작 공정...64
  • 제 4 장 HEMT의 DC동작 특성 평가...89
  • 제 1 절 전류 전압 특성 곡선...89
  • 제 2 절 포화 drain 전류와 transconductance...93
  • 제 3 절 기생 저항의 측정...102
  • 제 4 절 문턱전압과 2차원 전자농도의 평가...106
  • 제 5 절 측정된 DC parameters...108
  • 제 5 장 $\delta$-FET 및 $\delta$-HEMT 제작을 위한 $\delta$-doping 기초연구...109
  • 제 1 절 서론...109
  • 제 2 절 GaAs 기판위에 성장한 GaAs 에피층의 $\delta$-doping 특성 연구...113
  • 제 3 절 Si 기판위에 성장한 GaAs 에피층의 $\delta$-doping 특성연구...122
  • 제 4 절 $\delta$-FET 제작 및 특성...131
  • 제 6 장 InGaAs HEMT 소자의 기초 연구...135
  • 제 1 절 서론...135
  • 제 2 절 InGaAs HEMT 소자의 장점...136
  • 제 3 절 InGaAs HEMT 소자의 구조...139
  • 제 4 절 Ⅲ-Ⅴ 격자 정합계...142
  • 제 5 절 Pseudomorphic HEMT의 구조 및 특성...146
  • 제 7 장 HEMT 소자의 2차원 수치 시뮬레이션...155
  • 제 1 절 소자의 모델...155
  • 제 2 절 수치 해법...160
  • 제 3 절 연구결과 및 검토...161
  • 제 8 장 결론 및 건의사항...168
  • 제 1 절 종합적 결론...168
  • 제 2 절 건의사항...169
  • 참고문헌...170

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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