초록 ▼

공해가 없고 고갈되지 않는 자원의 요구로 일본, 미국등의 선진국에서는 일찌기 비정실 반도체를 이용하는 에너지 변환장치에 대해 연구를 계속해 오고있다. 따라서 이번 연구의 목적도 태양전지의 재료로 쓸 수 있는 비정질실리코반도체 재료의 개발과, 그특성을 밝혀 더 좋은 재료 연구와 제작할 수 있는 기술을 개발하는 것이다. 연구의 내용으로는 델타도핑한 A-SiC:H를 창물질로 사용하여 높은 효율(9.34%)을 주는 태양전지를 제작하였고, 이 태양전지에 역방향 전압 열처리를 하여 효율이 증가함을 알았고, 열평형모델에 의해 그 원인을 해석하였

공해가 없고 고갈되지 않는 자원의 요구로 일본, 미국등의 선진국에서는 일찌기 비정실 반도체를 이용하는 에너지 변환장치에 대해 연구를 계속해 오고있다. 따라서 이번 연구의 목적도 태양전지의 재료로 쓸 수 있는 비정질실리코반도체 재료의 개발과, 그특성을 밝혀 더 좋은 재료 연구와 제작할 수 있는 기술을 개발하는 것이다. 연구의 내용으로는 델타도핑한 A-SiC:H를 창물질로 사용하여 높은 효율(9.34%)을 주는 태양전지를 제작하였고, 이 태양전지에 역방향 전압 열처리를 하여 효율이 증가함을 알았고, 열평형모델에 의해 그 원인을 해석하였다. 또한 Photo-CVD라는 새로운 제작방법을 도입하여, 증착장치를 제작하였고 Mercury-sensitizing을 이용하여 시료를 만들었는데, 광감등도 Urbach-tail의 특성 에너지등으로 보아 기존의 GD 방법에 못지 않음을 알 수 있었다. 그리고 델타 도핑된 P층 자체를 두껍게 제작하여 연구하였는데, 큰 광학적 갭과 델타도핑에 기인한 적은 Defect를 가져서, 태양전지의 창물질로 적합함을 알았다. 기존의 방법으로 균질하게 도핑한 P형 실리콘 카바이드에 대해서도 RF-Power의 번화에 따르는 광학적 갭 및 활성화 에너지에 대해서도 연구하였다.

목차 Contents

• 제1장 서론...10
• 제2장 태양 전지 (a-SiC : H) 제작 및 특성 연구...15
• 제3장 Photo-CVD 로 제작한 수소화된 비정질 실리콘...42