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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 이주천 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1988-05 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200011327 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 비정질 실리콘 초격차.비정질 실리콘.Amorphous silicon.Amorphous silicon superlattice. |
비정질 실리콘계 반도체는 태양전지, electrophotography의 photoreceptor, vidicon, image sensor, FET 및 IC등의 재료로 이용될 수 있다. 그러나 아직 비정질 실리콘에서 나타나는 전기적, 광학적 성질들이 잘 규명되지 않았으며 초격자 시료에 대해서도 이론이 정립되지 않았다. 그러므로 본 연구에서는 글로우 방전 방법으로 비정질 실리콘계 반도체를 제작하여 전자수송현상, 광학적 특성을 연구하고 그 결과로 얻은 이상적인 시료제작 조건으로 비정질 실리콘 초결자를 제작하였다. 그리고 제작된 npnp형
The possibility of substitutional doping of phosphorous and boron into amorphous silicon (a-Si:H) opens a new area of applications. a-Si:H based semiconductors prepared by glow discharge decomposition are used in fabrication of solar cells, photoreceptor in electrophotography, vidicon, FET and image
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