$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

반도체표면 분석기술 개발에 관한 연구
A Study of Characterization Techniques on Semiconductor Surface 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
연구책임자 권오준
참여연구자 이중환 , 박형호 , 곽병화 , 정성화 , 백문철 , 이상환 , 남산 , 김상기 , 이희태 , 차주연
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1992-07
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
등록번호 TRKO200200005227
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 반도체표면분석.깊이분포분석.질량간섭.표면의 광특성.측정각 변화XPS.PECVD 질화막.반응성이온 식각 잔류막.Characterization Tech. on Semiconductor Surface.Surface Analysis.Surface Composition.Depth Profile.Mass Interferance.Photonic Properties.Angle ResolvedXPS.PECVD Silicon Nitride.Residual Film.Reactive Ion Etch.

초록 ▼

한국전자통신 연구소에 설치된 반도체 소재 및 표면분석시설을 바탕으로 반도체 소재의 표면분석기술들을 비교하고, 표면조성 및 결합상태 분석기술을 조사하였으며 이온빔에 의한 깊이분포 분석기법과 Angle ResolvedXPS등에 의한 비파괴적인 박막 깊이 분석을 실시하였다. 또한 질량간섭의 최소화연구와 표면의 광특성 연구 등을 통하여 기초분석기술의 개발과 측정조건의 수립에 힘을 기울였으며, 반응성 이온 건식식각 후 표면특성분석과 PECVD로 증착된 질화규소막의 조성에 따른 물성연구 등의 반도체 소재 표면연구사례를 통한 정밀 분석기술의 연

목차 Contents

  • 제1장 서론...33
  • 제2장 반도체 소재의 표면분석...41
  • 제1절 서론...43
  • 제2절 반도체 표면분석의 특징...43
  • 제3절 표면분석의 원리...44
  • 제4절 표면분석기술의 비교...54
  • 제5절 결론...58
  • 제3장 표면조성 및 결합상태 분석...61
  • 제1절 XPS, AES 분석기법...64
  • 제2절 정량분석 연구...64
  • 제3절 Chemical shift 연구...76
  • 제4절 피이크 분해에 따른 결합상태 해석연구...83
  • 제4장 깊이분포 분석...85
  • 제1절 이온빔 효과 연구...85
  • 제2절 Non-destructive depth profile 기법연구...89
  • 제3절 SIMS depth resolution 연구...92
  • 제4절 Surface transient 연구...94
  • 제5장 질량간섭의 최소화 연구...111
  • 제1절 질량간섭의 요인과 제거방법...113
  • 제2절 Si 시료에서 질량간섭 연구...121
  • 제3절 이차이온에너지가 sensitivity에 미치는 영향 연구...132
  • 제6장 표면의 광특성 연구...139
  • 제1절 FTIR의 원리...141
  • 제2절 FTIR의 반도체 응용...145
  • 제3절 FTIR set-up...155
  • 제7장 반응성이온 건식식각후 표면특성분석...173
  • 제1절 서론...175
  • 제2절 실험...176
  • 제3절 표면특성 분석...178
  • 제4절 열적안정성 분석...193
  • 제5절 회복공정...207
  • 제6절 결론...213
  • 제8장 PECVD로 증착된 silicon nitride의 조성에 따른 물성연구...217
  • 제1절 PECVD 질화규소막의 특징...219
  • 제2절 시료제작 및 특성측정...220
  • 제3절 조성 분석...222
  • 제4절 증착공정 변수에 따른 특성변화...225
  • 제5절 조성에 따른 물성변화 연구...234
  • 제6절 결론...246
  • 제9장 결론...249

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

관련 콘텐츠

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로