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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
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연구책임자 | 민석기 |
참여연구자 | 서상희 , 김무성 , 김현수 , 김은규 , 김용태 , 김용 , 조훈영 , 임성욱 , 박용주 , 한철원 , 엄경숙 , 김성일 , 김춘근 , 송원준 , 문성옥 , 김진상 , 김원정 , 최형주 , 이종근 , 윤석범 , 고석현 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1992-05 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200005785 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 단결정/에피성장.VGF/VB.DM 전기로.MOCVD.MBE.GaAs.MCT.Single Crystal/Epi Grouwth.VGF/VB.DM Furnace.MOCVD.MBE.GaAS.HgCdTe. |
미래정보사회의 개인화, 지능화 요구에 꼭 필요한 화합물 반도체 소재 기술을 확보하기 위해 본 연구사업을 수행하였다. GaAs 단결정 성장기술에서는 자체 제작한 VGF/VB 장치에 자기장을 인가할 수 있도록 한 AM-VGF/VB 결정 성장기술을 개발하였다. 또한 CCD 카메라를 이용하여 Seeding 과정의 관찰을 통한 정밀한 온도제어를 통해 고품위 GaAs 단결정을 성장시켰다. GaAs : In, Cr 단결정은 결함밀도 6000개/
The contents and the scopes of this research were as follows.For the high quality crystal growth of bulk GaAs, the 2" AM-VGF/VB axial magnetic field applied-VGF/VB) system was constructed by installing a solenoid type electromagnet with the VGF/VB grower which has been made. The optimum growth condi
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