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NTIS 바로가기주관연구기관 | 전남대학교 Chonnam National University |
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연구책임자 | 이병택 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1992-02 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 전남대학교 Chonnam National University |
등록번호 | TRKO200200014453 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | GaAs.bulk열 처리.결정결함 거동.GaAs.bulk-annealing.structural defects.defect interaction process. |
GaAs 단결정의 bulk annealing 에 있어서 결정 내에 존재하는 결정결함들을 제거하면서 결정의 균질화를 꾀할 수 있는 열처리 온도대와 열처리 조건에 따른 결정결함들의 거동을 구명하였다. 실험결과 HB GaAs내에 존재하는 전위 loop 및 비소 미세석출물과 LEC GaAs 내의 전위선상에 발생하는 비소 석출물의 임계생성온도는 HB의 경우 650℃, LEC의 경우 650℃-950℃이었다. 미세석출물은 고온 가열에 의해 소멸된 후 급하게 냉각 했을 때 재생성되지 않았으나 서서히 냉각하거나 임계온도 대에서 재가열, 또는 다수
Behavior of structural defects in bulk GaAs during various heat treatment processes was investigated. Results showed that the formation temperature of As-related dislocation loops and recipitates in an As-rich HB (Horizontal Bridgman) GaAs is around 650℃, and their formation process is reversible a
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